【摘要】 目前，在集成电路产业的支持下mq2气体传感器，微机电技术发展极为迅速。 微结构气体传感器逐渐成为气体传感器领域的主要结构形式。 采用该技术制成的微结构气体传感器具有体积小、功耗低、灵敏度高、重复性好、易于量产、成本低、加工工艺稳定等优点，对提高其选择性和可靠性具有重要意义。 本文提出了一种基于硅压阻效应的新型MEMS气体传感器。 其结构主要由制作在硅膜表面的惠斯通电桥和沉积在硅膜表面的一层聚合物气敏膜组成。 高分子气敏膜吸收气体后会膨胀。 由于高分子气敏膜沉积在硅膜的上表面，膨胀受到限制，会带动硅膜发生弯曲变形，从而改变硅膜中制作的压敏电阻的阻值。 然后，目标气体引起的聚合物气敏膜的变形将通过压阻式惠斯登电桥转换为电压输出。 本文应用弹性力学薄板原理研究了气敏传感器的理论模型，建立了气敏传感器中硅薄膜与高分子气敏薄膜相互作用的理论模型，建立了半覆盖双层薄膜弯曲的微分方程。 对文中的弯曲刚度系数进行了修正，提出了气体传感器等效横向气体载荷q_g的概念和表达式，并推导出了传感器最终的输出公式。 同时，根据建立的理论模型，对气体传感器的结构和工艺进行了初步设计。 理论分析表明，该传感器输出线性度好，结构简单mq2气体传感器，不发热，MEMS（微机电系统）工艺技术的应用可实现与信号处理电路的集成等。
